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今天给大家分享:如何判断晶体管饱和?
不管是哪种情况,都需要通过进行计算、测量、模拟。这篇文章主要是关于如何判断晶体管饱和。
通过实际测量可以判断晶体管是否饱和:使用数字万用表监控警惕挂吧的集电极-发射极电压51漫画。
如果读数低于0.3V,则晶体管处于饱和状态。
晶体管的饱和电压范围为0.7V及以下,对于为硬饱和设计的电路,VCE会更低。下图是测量电路中晶体管的集电极-发射极电压的设置。
但是这种方法并不是很实用,因为你需要搭建一个电路,然后买相应的组件,耗时耗财51漫画。
通过仿真,你可以确定电路的运行情况,你可以在集电极-发射极之间放置一个电压探针,然后运行仿真。
1、假设电路处于饱和状态
使用这种方法,我们先假设电路饱和,求解电路最大增益,将其与其间最小电流增益比较。
如果计算出的电路的最大增益小于器件的最小增益,则假设正确,晶体管工作饱和状态,否则,以线性模式运行。
示例一:
1) 求解集电极电流
假设电路处于饱和状态,因此集电极电流仅由集电极电阻 Rc 的值决定。
你也可以将晶体管的饱和电压值包含在数据表中。如果集电极电流将为:
VCEsat 的范围为 0.7V 及以下,具体取决于晶体管。这里不考虑集电极-发射极饱和电压。
2)计算基极电流
由于Vbb值为10V,基极-发射极结肯定会正向偏置,基极电流为:
(BC817-25晶体管的VBE典型值为0.7V)
3)求解电路增益 (Beta)
4)将电路 Beta 与最小器件 Beta 进行比较
对于BC817-25晶体管,最小β为 160。因此计算出的最大β比最小器件β非常小,毫无疑问晶体管工作在饱和状态。
如果满足以下关系,晶体管就会饱和:
电路最大增益<<器件的最小增益
如果不包括 VCEsat,计算电路 beta 确实是最大的。如果该标准在没有 VCEsat 的情况下成立,那么毫无疑问,在使用 VCEsat 的情况下该标准也将成立。不包含饱和电压不会增加 BOM 成本,但可以为设计提供余量。
5)通过模拟验证
从仿真结果来看,VCE仅为16mV左右。对于 BC817-25 晶体管,VCE 读数低于 700mV 已被视为饱和。同时,集电极电流约为20mA。
示例二:
使用相同的电路,但将 Rb 更改为 200kΩ。
1)解集电极电流
2)计算基极电流
3)求解电路增益 (Beta)
4)将电路 Beta 与最小器件 Beta 进行比较
器件的最小增益<<电路最大增益
从结果来看,不满足上述标准,因为 438.596 大于 160。因此,晶体管未饱和(线性操作)。
5)通过模拟验证
从仿真结果来看,VCE约为4.6V,高于任何晶体管的VCEsat。
毫无疑问,电路处于活动模式。另一方面,集电极电流约为15mA。这是有源操作时电路上的实际电流。
我们上面计算的集电极电流 20mA 不是实际电流,因为电路没有工作在饱和状态。
在该方法中,当满足以下条件时,计算出的集电极电流是实际电路集电极电流。
否则,必须使用线性分析重新计算计算出的集电极电流。
2、假设电路工作在线性区域
在这种方法中,假设晶体管的工作时线性的。如果电路确实工作在线性区,则必须满足以下条件:
电路的最小VCE>器件的最大VCE
1)计算基极电流
2)计算集电极电流
假设操作最初是线性的,因此将使用设备 beta 来计算集电极电流。
在线性操作中,电路 beta 由器件 beta 决定。而且,我们现在要考虑最大器件 beta,因为可以提供最大集电极电流,使用 300 作为设备测试版。
3)计算最小电路 VCE
4)将最小电路 VCE 与器件 VCEsat 最大值进行比较
-2770V 远低于BC817-25的最大VCEsat,约为0.7V。不满足以下标准。因此,晶体管饱和。
【实际电路VCE不能为负,因为电路没有负电源。负值将被钳位至零伏的地电平。计算结果仅表明电路的饱和程度。】
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